STGP12NB60HD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

30 A

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGP12NB60HD

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

30 A

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Larghezza:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

12 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

STGP12, STGP1, STGP, STG