IXTA1R4N120P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

24.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

86 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Polare

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

9.65 mm

Serie:

IXTA1R4N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza polare

Larghezza:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

0.8 S

Tempo di caduta:

29 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

78 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

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