FQD3P50TM-AM002BLT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

23 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FQD3P50

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

2.1 S

Tempo di caduta:

45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

56 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

FQD3P50TM_AM002BLT

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

FQD3P50TM, FQD3P50T, FQD3P5, FQD3P, FQD3, FQD