BSB044N08NN3 G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDSON-2-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

73 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

36 S

Tempo di caduta:

7 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Parte # Alias:

BSB044N08NN3GXUMA1 BSB44N8NN3GXT SP000604542

Tags

BSB044N08NN3, BSB044, BSB04, BSB0, BSB