PTFA212401F V4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

15.8 dB

Potenza di uscita:

240 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-37260-2

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.11 mm

Lunghezza:

22.35 mm

Frequenza operativa:

2170 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

13.72 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

761 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

40

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Parte # Alias:

FA212401FV4XP

Tags

PTFA2124, PTFA212, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF