2N6297

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N6297

Guadagno di corrente CC hFE Max:

18000 at 2 A, 3 V

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

750 at 2 A, 3 V

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6297 PBFREE

Unità di peso:

0.206000 oz

Tags

2N629, 2N62, 2N6