MRF5943

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3.5 V

Corrente continua del collettore:

400 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Confezione:

Vassoio

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

1.3 GHz

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

MRF59, MRF5, MRF