IRFW550ATM

IRFW550ATM
Mfr. #:
IRFW550ATM
Produttore:
FAIRCHILD
Descrizione:
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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IRFW550ATM Scheda dati
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Produttore
FAIRCHILD
categoria di prodotto
Chip IC
Tags
IRFW5, IRFW, IRF
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***et
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 40A I(D), 100V, 0.04OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB
***ser
MOSFETs 100V N-Channel A-FET
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:40A; On Resistance, Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IRFW550ATMFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Compliant
847
    IRFW550ATM
    DISTI # 512-IRFW550ATM
    ON SemiconductorMOSFET 100V N-Channel A-FET
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      IRFW510ATM

      Mfr.#: IRFW510ATM

      OMO.#: OMO-IRFW510ATM-1190

      MOSFET
      IRFW520ATMFSC

      Mfr.#: IRFW520ATMFSC

      OMO.#: OMO-IRFW520ATMFSC-1190

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      IRFW530

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      IRFW530AM

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      MOSFET 100V N-Channel A-FET
      IRFW530ATM-NL

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      IRFW540ATM

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      MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
      IRFW550A

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      IRFW550ATM

      Mfr.#: IRFW550ATM

      OMO.#: OMO-IRFW550ATM-1190

      Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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