IPL65R460CFDAUMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

460 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

31.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83.3 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

CoolMOS CFDA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

IPL65R460CFD SP000949260

Tags

IPL65R4, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL