TIP35AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Corrente massima del collettore CC:

25 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

TIP35A

Altezza:

16.2 - 4 mm (Max)

Lunghezza:

15.2 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.9 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

25 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

TIP35A, TIP35, TIP3, TIP