VP2206N2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

750 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

900 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Unità di peso:

0.039133 oz

Tags

VP2206N, VP2206, VP220, VP22, VP2