FDS8333C

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V, 20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS8333C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

5 S

Tempo di caduta:

1.5 ns, 2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns, 13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns, 11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns, 4.5 ns

Parte # Alias:

FDS8333C_NL

Unità di peso:

0.008127 oz

Tags

FDS833, FDS83, FDS8, FDS