FDMS3572

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UltraFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS3572

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.007408 oz

Tags

FDMS35, FDMS3, FDMS, FDM