2N5415S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

200 V

Collettore-tensione di base VCBO:

200 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 50 mA, 10 V

Confezione:

Massa

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 50 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

750 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N5415S, 2N5415, 2N541, 2N54, 2N5