FDD86369-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FDD86369_F085

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

FDD86369_F085

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FDD8636, FDD863, FDD86, FDD8, FDD