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IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1
Mfr. #:
IPD65R250C6XTMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPD65R250C6XTMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-252-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
650 V
Id - Corrente di scarico continua:
16.1 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
230 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
2.5 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
44 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
208.3 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Nome depositato:
CoolMOS
Confezione:
Bobina
Altezza:
2.3 mm
Lunghezza:
6.5 mm
Serie:
CoolMOS C6
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
6.22 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tempo di caduta:
12 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
11 ns
Quantità confezione di fabbrica:
2500
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
100 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
13 ns
Parte # Alias:
IPD65R250C6XTMA1 SP000898654
Unità di peso:
0.139332 oz
Tags
IPD65R250C, IPD65R25, IPD65R2, IPD65R, IPD65, IPD6, IPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
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Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
***ical
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
*** Source Electronics
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
***Components
MOSFET N-CHANNEL COOLMOS 650V 16A TO220
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin TO-252 T/R
***ark
Mosfet, N-Ch, 650V, 16.1A, To-252-3
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
***ronik
N-CH 650V 16A 250mOhm TO252-3
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 650V, 16.1A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.1A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:208.3W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS C6 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, CA-N, 650V, 16,1A, TO-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:16.1A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.23ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Potenza Pd:208.3W; Modello Case Transistor:TO-252; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:CoolMOS C6 Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
***ineon
CoolMOS C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. | Summary of Features: Easy control of switching behavior; Extremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss); Very high commutation ruggedness; Easy to use; Better light load efficiency compared to C3; Outstanding reliability with proven CoolMOS quality combined with high body diode ruggedness; Better price performance in comparison to previous CoolMOS generations; More efficient, more compact, lighter and cooler | Benefits: Improved power density; Improved reliability; General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies; Better light load effciency; Improved effciency in hard switching applications; Improved ease-of-use; Reduces possible ringing due to pcb layout and package parasitic effects | Target Applications: Consumer; Adapter; eMobility; PFC stages for server & telecom; SMPS; PC power; Solar; Lighting
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPD65R250C6XTMA1
DISTI # V72:2272_06378492		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
RoHS: Compliant		4
  • 75000:$1.1600
  • 30000:$1.1731
  • 15000:$1.1862
  • 6000:$1.1993
  • 3000:$1.2124
  • 1000:$1.2255
  • 500:$1.4990
  • 250:$1.6181
  • 100:$1.7392
  • 50:$1.9004
  • 25:$2.0740
  • 10:$2.2406
  • 1:$2.9196
IPD65R250C6XTMA1
DISTI # IPD65R250C6XTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD65R250C6XTMA1
    DISTI # IPD65R250C6XTMA1CT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPD65R250C6XTMA1
      DISTI # IPD65R250C6XTMA1DKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPD65R250C6XTMA1
        DISTI # 2726054        		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 650V, 16.1A, TO-252-3
        RoHS: Compliant        		0
        • 100:$2.2700
        • 10:$2.5700
        • 1:$2.7500
        IPD65R250C6XTMA1
        DISTI # 2726054        		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 650V, 16.1A, TO-252-3
        RoHS: Compliant        		78
        • 500:£1.1400
        • 250:£1.2600
        • 100:£1.3600
        • 10:£1.6500
        • 1:£2.1600
        Immagine Parte # Descrizione
        IPD65R250C6XTMA1

        Mfr.#: IPD65R250C6XTMA1

        OMO.#: OMO-IPD65R250C6XTMA1

        		 MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
        IPD65R250E6.

        Mfr.#: IPD65R250E6.

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6--1190

        		 Nuovo e originale
        IPD65R250E6 65E6250

        Mfr.#: IPD65R250E6 65E6250

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6-65E6250-1190

        		 Nuovo e originale
        IPD65R250E6XT

        Mfr.#: IPD65R250E6XT

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6XT-1190

        		 Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD65R250E6XTMA1)
        IPD65R250C6

        Mfr.#: IPD65R250C6

        OMO.#: OMO-IPD65R250C6-1190

        		 MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
        IPD65R250C6 , 2SD2402-EX

        Mfr.#: IPD65R250C6 , 2SD2402-EX

        OMO.#: OMO-IPD65R250C6-2SD2402-EX-1190

        		 Nuovo e originale
        IPD65R250E6

        Mfr.#: IPD65R250E6

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6-1190

        		 MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2 (Alt: SP000898656)
        IPD65R250E6XTMA1INFINEON

        Mfr.#: IPD65R250E6XTMA1INFINEON

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6XTMA1INFINEON-1190

        		 Nuovo e originale
        IPD65R250C6XTMA1

        Mfr.#: IPD65R250C6XTMA1

        OMO.#: OMO-IPD65R250C6XTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
        IPD65R250E6XTMA1

        Mfr.#: IPD65R250E6XTMA1

        OMO.#: OMO-IPD65R250E6XTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2
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        Available
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