DXT13003DG-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

400 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DXT13003

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

1.3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5 at 1 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

DXT13003D, DXT13, DXT1, DXT