FJI5603DTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

I2PAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

800 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1.6 kV

Emettitore-tensione di base VEBO:

12 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.2 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

5 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJI5603D

Guadagno di corrente CC hFE Max:

20

Altezza:

9.65 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

100000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

FJI