FS75R07U1E4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Confezione da sei

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.55 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

100 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

275 W

Pacchetto/custodia:

SmartPACK1

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FS75R07U1E4BPSA1 SP000939174

Tags

FS75R07, FS75R0, FS75R, FS75, FS7