BSS209PW L6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

580 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

550 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

BSS209

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

5.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns

Parte # Alias:

BSS209PWL6327XT

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BSS209PWL, BSS209P, BSS209, BSS20, BSS2, BSS