EMZ8T2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V, 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

15 V, 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz, 260 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

EMZ8

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 1 mA, 6 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

EMZ8

Tags

EMZ8, EMZ