KSC1009GTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

140 V

Collettore-tensione di base VCBO:

160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Corrente massima del collettore CC:

0.7 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

KSC1009, KSC100, KSC10, KSC1, KSC