FQB12N60CTM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

650 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

225 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

QFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

90 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

85 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

155 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

FQB12N60CTM_NL

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

FQB12N60C, FQB12N6, FQB12N, FQB12, FQB1, FQB