ZX3CD3S1M832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-832-8

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7.5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

190 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 60 at 1.5 A, 2 V, 12 at 3 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZX3CD3, ZX3CD, ZX3C, ZX3