STB80N4F6AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

36 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

70 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Bobina

Serie:

STB80N4F6AG

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

11.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.5 ns

Tags

STB80N, STB80, STB8, STB