TPN2R805PL,L1Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON-Advance-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

45 V

Id - Corrente di scarico continua:

139 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

104 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TPN2R805PL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN