FDPF4N60NZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UniFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.07 mm

Lunghezza:

10.36 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

FDPF4N60NZ

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

3.3 S

Tempo di caduta:

12.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.7 ns

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

FDPF4, FDPF, FDP