ZHB6792TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SM-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Quad

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

70 V

Collettore-tensione di base VCBO:

70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz, 150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZHB67

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 500 mA, 2 V at NPN, 150 at 1 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP

Pd - Dissipazione di potenza:

2000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZHB679, ZHB6, ZHB