FDD86252

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

41 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11.3 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FDD86252

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

5 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FDD862, FDD86, FDD8, FDD