IXTH14N100

IXTH14N100
Mfr. #:
IXTH14N100
Produttore:
IXYS
Descrizione:
MOSFET 14 Amps 1000V 0.82 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXTH14N100 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH14N100 Datasheet
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
IXTH14N100
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.229281 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-247-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
360 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
36 ns
Ora di alzarsi
21 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
14 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
820 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
80 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
24 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
IXTH14, IXTH1, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
***omponent
IXYS power module
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:360W; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:820mohm; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:360W; Power Dissipation Pd:360W; Pulse Current Idm:56A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:1kV; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXTH14N100
DISTI # IXTH14N100-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$15.0183
IXTH14N100
DISTI # 747-IXTH14N100
IXYS CorporationMOSFET 14 Amps 1000V 0.82 Rds
RoHS: Compliant
0
    IXTH14N100IXYS Corporation 284
    • 114:$16.6021
    • 55:$17.6397
    • 1:$20.7526
    Immagine Parte # Descrizione
    IXTH140N075L2

    Mfr.#: IXTH140N075L2

    OMO.#: OMO-IXTH140N075L2

    Discrete Semiconductor Modules Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
    IXTH1N170DHV

    Mfr.#: IXTH1N170DHV

    OMO.#: OMO-IXTH1N170DHV

    MOSFET DISC MOSFET N-CH DEPL MODE-STD
    IXTH14N80

    Mfr.#: IXTH14N80

    OMO.#: OMO-IXTH14N80

    MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
    IXTH102N15T

    Mfr.#: IXTH102N15T

    OMO.#: OMO-IXTH102N15T-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
    IXTH12N120

    Mfr.#: IXTH12N120

    OMO.#: OMO-IXTH12N120-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
    IXTH160N075T

    Mfr.#: IXTH160N075T

    OMO.#: OMO-IXTH160N075T-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
    IXTH10N100D2

    Mfr.#: IXTH10N100D2

    OMO.#: OMO-IXTH10N100D2-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
    IXTH152N085T

    Mfr.#: IXTH152N085T

    OMO.#: OMO-IXTH152N085T-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 85V 152A TO-247
    IXTH140P05T

    Mfr.#: IXTH140P05T

    OMO.#: OMO-IXTH140P05T-IXYS-CORPORATION

    Darlington Transistors MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
    IXTH1N100

    Mfr.#: IXTH1N100

    OMO.#: OMO-IXTH1N100-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
    Disponibilità
    Azione:
    Available
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    4000
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    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    22,53 USD
    22,53 USD
    10
    21,40 USD
    214,01 USD
    100
    20,27 USD
    2 027,47 USD
    500
    19,15 USD
    9 574,20 USD
    1000
    18,02 USD
    18 022,00 USD
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