2N3036

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1.2 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N3036

Guadagno di corrente CC hFE Max:

35

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Tags

2N30, 2N3