2SAR522EBTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-416FL-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 120 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

350 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SAR522EB

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SAR522EB

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

2SAR522, 2SAR52, 2SAR5, 2SAR, 2SA