FQB34P10TM-F085P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

33.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

49 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

85 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

155 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

23 S

Tempo di caduta:

210 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

250 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

160 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

FQB34P10TM_F085P

Unità di peso:

0.051500 oz

Tags

FQB34P10TM-F, FQB34P10T, FQB34P, FQB34, FQB3, FQB