NVD5890NLT4G-VF01

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

123 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

84 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

107 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

16.3 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Tags

NVD5890NL, NVD589, NVD58, NVD5, NVD