2N4912

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

600 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N4912

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100 at 500 mA, 1 V

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 500 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N4912 PBFREE

Unità di peso:

0.206000 oz

Tags

2N4912, 2N491, 2N49, 2N4