RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1966FE(TE85L,F)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1966FE(TE85L,F) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Dual
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
4.7 kOhms
Rapporto resistore tipico:
0.1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SOT-563
Guadagno base/collettore DC hfe min:
80
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
100 mW
Serie:
RN1966
Confezione:
Bobina
Emettitore-tensione di base VEBO:
5 V
Marca:
Toshiba
Corrente massima del collettore CC:
100 mA
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
4000
sottocategoria:
transistor
Unità di peso:
0.000106 oz
Tags
RN1966FE(T, RN1966FE, RN1966F, RN1966, RN196, RN19, RN1
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***-Wing Technology
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
***ure Electronics
50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount Bipolar Transistor (BJT) SOT-563
*** Source Electronics
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
***nsix Microsemi
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
***des Inc SCT
Complimentary, 50V, 0.1A, SOT563, 150mW
***hard Electronics
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
*** Electronics
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
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Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
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100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN1966FE(TE85L,F)
DISTI # RN1966FE(TE85LF)TR-ND
Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)
4000In Stock
  • 4000:$0.0700
RN1966FE(TE85L,F)
DISTI # RN1966FE(TE85LF)CT-ND
Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
4000In Stock
  • 1000:$0.0800
  • 500:$0.1176
  • 250:$0.1380
  • 100:$0.2195
  • 25:$0.2824
  • 10:$0.3920
  • 1:$0.4300
RN1966FE(TE85L,F)
DISTI # RN1966FE(TE85LF)DKR-ND
Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
4000In Stock
  • 1000:$0.0800
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  • 1:$0.4300
RN1966FE(TE85L,F)
DISTI # 757-RN1966FETE85LF
Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
RoHS: Compliant
0
    Immagine Parte # Descrizione
    RN1966FE(TE85L,F)

    Mfr.#: RN1966FE(TE85L,F)

    OMO.#: OMO-RN1966FE-TE85L-F-

    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    RN1966FE(TE85L,F)

    Mfr.#: RN1966FE(TE85L,F)

    OMO.#: OMO-RN1966FE-TE85L-F--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    RN1966FE(TE85LF)CT-ND

    Mfr.#: RN1966FE(TE85LF)CT-ND

    OMO.#: OMO-RN1966FE-TE85LF-CT-ND-1190

    Nuovo e originale
    RN1966FE(TE85LF)DKR-ND

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    OMO.#: OMO-RN1966FE-TE85LF-DKR-ND-1190

    Nuovo e originale
    RN1966FE(TE85LF)TR-ND

    Mfr.#: RN1966FE(TE85LF)TR-ND

    OMO.#: OMO-RN1966FE-TE85LF-TR-ND-1190

    Nuovo e originale
    RN1966FE

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    OMO.#: OMO-RN1966FE-1190

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