STB120N10F4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

131 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

STB120N10F4

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

79 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

116 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

111 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

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STB120N, STB120, STB12, STB1, STB