BSM10GD120DN2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

N

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Esadecimale

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.7 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

15 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

120 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Pacchetto/custodia:

EconoPACK 2

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

17 mm

Lunghezza:

107.5 mm

Larghezza:

45.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

BSM10GD120DN2BOSA1 SP000100367

Unità di peso:

6.349313 oz

Tags

BSM10GD12, BSM10GD1, BSM10GD, BSM10G, BSM10, BSM1, BSM