SSM6L14FE(TE85L,F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 mA, 720 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

240 mOhms, 300 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V, 8 V

Qg - Carica cancello:

2 nC, 1.76 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6L14FE

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

1.05 S, 850 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns, 38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns, 11 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

SSM6L14, SSM6L1, SSM6L, SSM6, SSM