2SD1207S-AE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.15 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1207

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

2SD1207, 2SD120, 2SD12, 2SD1, 2SD