IGP15N60T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

26 A

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

TRENCHSTOP IGBT

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.25 mm

Lunghezza:

10 mm

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

IGP15N60TXKSA1 IGP15N6TXK SP000683044

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IGP15N60T, IGP15N6, IGP15N, IGP15, IGP1, IGP