FCH190N65F-F155

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

20.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

168 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

60 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

208 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.82 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Serie:

FCH190N65F

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

4.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

FCH190N65F_F155

Unità di peso:

0.225401 oz

Tags

FCH190N65F-F, FCH190, FCH19, FCH1, FCH