PSMN1R0-25YLDX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

890 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

71.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

160 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

24.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

36 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30.3 ns

Unità di peso:

0.002974 oz

Tags

PSMN1R0, PSMN1R, PSMN1, PSMN, PSM