SSM6K217FE,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ES6-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

400 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

1.1 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6K

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000289 oz

Tags

SSM6K217, SSM6K21, SSM6K2, SSM6K, SSM6, SSM