STP60N3LH5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

48 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

22 V

Qg - Carica cancello:

8.8 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

STP60N3LH5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza V STRIPFET a canale N

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

1.1 S

Tempo di caduta:

4.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

STP60N, STP60, STP6, STP