BSC080P03LS G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

108 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

87 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

79 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13.5 ns

Parte # Alias:

BSC080P03LSGAUMA1 BSC8P3LSGXT SP000359664

Tags

BSC080P03LSG, BSC080P, BSC080, BSC08, BSC0, BSC