SI3588DV-T1-E3

Mfr. #:: SI3588DV-T1-E3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: IGBT Transistors MOSFET 20V 3.0/2.2A
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI3588DV-T1-E3 Scheda dati
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HTML Datasheet:: SI3588DV-T1-E3 Datasheet SI3588DV-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI3588DV-T1-E3 Datasheet (P7-P8)
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Produttore: Vishay Siliconix

categoria di prodotto: FET - Array

Serie: TrinceaFETR

Confezione: Digi-ReelR

Alias parziali: SI3588DV-E3

Unità di peso: 0.000705 oz

Stile di montaggio: SMD/SMT

Nome depositato: TrenchFET

Pacchetto-Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tecnologia: si

Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

Numero di canali: 2 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore: 6-TSOP

Configurazione: 1 N-Channel 1 P-Channel

Tipo FET: Canale N e P

Potenza-Max: 830mW, 83mW

Tipo a transistor: 1 N-Channel 1 P-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 20V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds: -

Funzione FET: Porta livello logico

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C: 2.5A, 570mA

Rds-On-Max-Id-Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id: 450mV @ 250μA (Min)

Gate-Carica-Qg-Vgs: 7.5nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione: 830 mW

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 30 ns 29 ns

Ora di alzarsi: 30 ns 29 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 8 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: 2.5 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 20 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 80 mOhms 145 mOhms

Polarità del transistor: Canale N Canale P

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 28 ns 24 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 12 ns 12 ns

Modalità canale: Aumento

Tags: SI3588D, SI3588, SI358, SI35, SI3

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SI3588DV-T1-E3 Descrizione

***ical: Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6-Pin TSOP T/R

***i-Key: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

***ser: Dual MOSFETs 20V 3.0/2.2A

***nell: MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N / P Channel; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:3A; On State Resistance:80mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Case Style:TSOP-6

***ark: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:3A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:TSOP-6 ;RoHS Compliant: Yes

***ment14 APAC: MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:3A; Current Id Max:3A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):80mohm; Package / Case:TSOP-6; Power Dissipation Pd:830mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Market price

Parte #	Mfg.	Descrizione	Azione	Prezzo
SI3588DV-T1-E3 DISTI # SI3588DV-T1-E3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call
SI3588DV-T1-E3 DISTI # SI3588DV-T1-E3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
SI3588DV-T1-E3 DISTI # SI3588DV-T1-E3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI3588DV-T1-E3 DISTI # 781-SI3588DV-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 20V 3.0/2.2A RoHS: Compliant	0
SI3588DV-T1-E3 DISTI # 1612643RL	Vishay Intertechnologies	MOSFET, P, TSOP-6 RoHS: Compliant	0	1:$2.1600 10:$1.7400 100:$1.3900 250:$1.2000 500:$1.0400 1000:$0.9660 3000:$0.9320
SI3588DV-T1-E3 DISTI # 1612643	Vishay Intertechnologies	MOSFET, P, TSOP-6 RoHS: Compliant	0	1:$2.1600 10:$1.7400 100:$1.3900 250:$1.2000 500:$1.0400 1000:$0.9660 3000:$0.9320

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	Mfr.#: SI3588DV-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-GE3-VISHAY	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
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