UJ3C065080T3S

UJ3C065080T3S
Mfr. #:
UJ3C065080T3S
Produttore:
UnitedSiC
Descrizione:
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
UJ3C065080T3S Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
UJ3C065080T3S maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
UnitedSiC
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
650 V
Id - Corrente di scarico continua:
31 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
100 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
4 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
25 V
Qg - Carica cancello:
51 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
190 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Qualificazione:
AEC-Q101
Confezione:
Tubo
Serie:
UJ3C
Marca:
UnitedSiC
Tempo di caduta:
11 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
13 ns
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
59 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
18 ns
Tags
UJ3C06508, UJ3C0650, UJ3C0, UJ3C, UJ3
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SiC Cascodes
UnitedSiC SiC Cascodes are the 3rd generation gate drive SiC devices that are a combination of high-performance SiC JFETs and cascode optimized MOSFETs. These SiC Cascodes are the enhancement-mode power switches formed by a high-voltage SiC depletion-mode JFET and a low-voltage silicon MOSFET connected in series. The SiC Cascodes offer the best performance for the intrinsic diode forward drop (VSD) and recovery charge (QRR). These devices deliver ultra-low gate charge but also the best reverse recovery characteristics of any devices of similar ratings. 
Immagine Parte # Descrizione
ISO5452DWR

Mfr.#: ISO5452DWR

OMO.#: OMO-ISO5452DWR

Gate Drivers Gate Driver
UCC21520DW

Mfr.#: UCC21520DW

OMO.#: OMO-UCC21520DW

Gate Drivers 4A/6A, 5KVrms Dual Isolated-channel Univ
UJ3C065030T3S

Mfr.#: UJ3C065030T3S

OMO.#: OMO-UJ3C065030T3S

MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
FFSP2065A

Mfr.#: FFSP2065A

OMO.#: OMO-FFSP2065A

Schottky Diodes & Rectifiers SIC TO220 SBD 20A 650V
STPSC20065DY

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OMO.#: OMO-STPSC20065DY

Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
B32774H4106K000

Mfr.#: B32774H4106K000

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Film Capacitors 450VDC 10uF 10% MKP LS 27.5mm
SEN-13679

Mfr.#: SEN-13679

OMO.#: OMO-SEN-13679

Current Sensor Development Tools Current Sensor Breakout - ACS723
ISO5452DWR

Mfr.#: ISO5452DWR

OMO.#: OMO-ISO5452DWR-TEXAS-INSTRUMENTS

Gate Drivers Isolated IGBT Gate Driver with High CMTI, Split Outputs & Safety Features
R15P21503D

Mfr.#: R15P21503D

OMO.#: OMO-R15P21503D-RECOM-POWER

2W DC/DC-CONVERTER 'ECONOLINE'
105308-1210

Mfr.#: 105308-1210

OMO.#: OMO-105308-1210-1190

Headers & Wire Housings NanoFit TPA Recp Hsg Dual Row 10Ckt Blk
Disponibilità
Azione:
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
11,40 USD
11,40 USD
10
10,86 USD
108,60 USD
25
10,05 USD
251,25 USD
50
9,51 USD
475,50 USD
100
9,24 USD
924,00 USD
250
8,42 USD
2 105,00 USD
500
7,88 USD
3 940,00 USD
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