SH8KA2GZETB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

23 mOhms, 23 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8 nC, 8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.8 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4.2 S, 4.2 S

Tempo di caduta:

5.7 ns, 5.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.4 ns, 8.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns, 11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns, 7.4 ns

Parte # Alias:

SH8KA2

Tags

SH8KA, SH8K, SH8