SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4963BDY-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4963BDY-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SI4963BDY-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
-
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
SI4963BDY-GE3
Unità di peso
0.006596 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
8-SO
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potenza-Max
1.1W
Tipo a transistor
2 P-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
20V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
-
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
4.9A
Rds-On-Max-Id-Vgs
32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.4V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
21nC @ 4.5V
Pd-Power-Dissipazione
1.1 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
55 ns
Ora di alzarsi
40 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
4.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
32 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
80 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
30 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI4963, SI496, SI49, SI4
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Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # SI4963BDY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.8167
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # SI4963BDY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4963BDY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$0.6379
  • 5000:$0.6189
  • 10000:$0.5939
  • 15000:$0.5779
  • 25000:$0.5619
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4963BDY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.6150
  • 5000:$0.5840
  • 10000:$0.5620
Immagine Parte # Descrizione
SI4963BDY-T1-E3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-E3

MOSFET 20V 6.2A 2W
SI4963BDY-T1-GE3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-GE3

MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
SI4963BDY-T1-GE3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
SI4963BDY-T1-E3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-E3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
Disponibilità
Azione:
Available
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,84 USD
0,84 USD
10
0,80 USD
8,01 USD
100
0,76 USD
75,86 USD
500
0,72 USD
358,20 USD
1000
0,67 USD
674,30 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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